【简介】

上世纪，随着集成电路的成功研发，推动了半导体行业的兴起，这离不开光刻机的快速发展。随着科技的发展，光刻机的工艺线宽从早期的微米量级缩小到了纳米量级，其曝光光源便是大家耳熟能详的极紫外光。

极紫外光刻，又称软X射线光刻，是一种采用中心波长13.5 nm(2%带宽)的极紫外光进行刻蚀的技术。光刻机的工艺线宽与曝光波长成反比，ASML公式最新一代的光刻机采用的就是13.5nm的极紫外光作为其曝光光源，刻蚀线宽可达5nm以下。

为了让大众更深刻地了解光刻机及其极紫外光源，我们团队开展了极紫外光制备的演示实验。

我们采用脉冲Nd:YAG激光器作用靶材产生等离子体，并用极紫外探测器对极紫外辐射进行了探测，并用高速相机ICCD对等离子体的羽辉膨胀进行了观测，为大家展示了光刻机所用的极紫外光源的获得方法。

【作者】陈泽功